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PROUCTS LIST
介質(zhì)主動(dòng)測(cè)驗(yàn)儀的簡(jiǎn)介
儀器為一體化構(gòu)造,內(nèi)置介損測(cè)驗(yàn)電橋,可變頻調(diào)壓電源,升壓變壓器和SF6 高安穩(wěn)度規(guī)范電容器。測(cè)驗(yàn)高壓源由儀器內(nèi)部的逆變器發(fā)生,經(jīng)變壓器升壓后用于被試品測(cè)驗(yàn)。頻率可變?yōu)?5Hz或55Hz,55Hz或65Hz,選用數(shù)字陷波技能,避開(kāi)了工頻電場(chǎng)對(duì)測(cè)驗(yàn)的攪擾,從根本上處理了強(qiáng)電場(chǎng)攪擾下丈量的難題。一起適用于悉數(shù)停電后用發(fā)電機(jī)供電檢測(cè)的場(chǎng)合。該儀器配以絕緣油杯可測(cè)驗(yàn)絕緣油介質(zhì)損耗。
在溝通電壓效果下,電介質(zhì)要消耗有些電能,這有些電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮馨l(fā)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加溝通電壓時(shí),電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ,Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角,δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來(lái)衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器丈量線路包含一規(guī)范回路(Cn)和一被試回路(Cx)。規(guī)范回路由內(nèi)置高安穩(wěn)度規(guī)范電容器與丈量線路構(gòu)成,被試回路由被試品和丈量線路構(gòu)成。丈量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器構(gòu)成。經(jīng)過(guò)丈量電路別離測(cè)得規(guī)范回路電流與被試回路電流幅值及其相位等,再由單片機(jī)運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)收集辦法,經(jīng)過(guò)矢量運(yùn)算便可得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。
儀器內(nèi)部現(xiàn)已選用了抗攪擾措施,確保在外電場(chǎng)攪擾下丈量。
技能參數(shù):
1 | 運(yùn)用條件 | -5℃∽40℃ | RH<80% | ||
2 | 抗攪擾原理 | 變頻法 | |||
3 | 電 源 | AC 220V±10% | 頻率無(wú)限制 | ||
4 | 高壓輸出 | 0.5KV∽10KV | 每隔0.1kV | ||
精 度 | 2% | ? | ? | ||
zui大電流 | 200mA | ? | ? | ||
容 量 | 1500VA | ? | ? | ||
5 | 自激電源 | AC 0V∽50V/1 | 45HZ/55HZ | ||
6 | 分 辨 率 | tgδ: 0.001% | Cx: 0.1pF | ||
7 | 精 度 | △tgδ:±(讀數(shù)*1.0%+0.040%) | |||
△C x :±(讀數(shù)*1.0%+1.0PF) | ? | ? | |||
8 | 丈量規(guī)模 | tgδ | 無(wú)限制 | ||
C x | 15pF < Cx < 200nF | ? | ? | ||
? | 10KV | Cx < 60 nF | ? | ? | |
? | 5KV | Cx < 100 nF | ? | ? | |
? | 1KV | Cx < 200 nF | ? | ? | |
CVT測(cè)驗(yàn) | Cx < 200 nF | ? | ? | ||
9 | CVT變比規(guī)模 | 10∽10000 | |||
CVT變比精度 | 0.1% | ? | |||
CVT變比分辨率 | 0.1 | ? | |||
10 | 外型尺度 | 430(L)×330(W)×330(H) | |||
11 | 存儲(chǔ)器巨細(xì) | 80 組 支撐U盤(pán)數(shù)據(jù)存儲(chǔ) | |||
12 | 重 量 | 28 Kg |